電(diàn)源模塊出現(xiàn)燒焦是(shì€&₹Ω)什(shén)麽原因

電(diàn)源模塊的(de)工(gōng)作(zuò)過程很(hěn)特殊，工(gōng)δ>∏≤作(zuò)時(shí)序和(hé)電(diàn)壓提升•‌分(fēn)3段，階段1是(shì)380V交流電(diàn)整流達到(dào)400↕×VDC，階段2是(shì)檢測到(dào)4>β→¶00VDC後，繼續使DC-LINK電(diàn)容充電(diàn)到(d≠™ào)570VDC，階段3是(shì)等待脈沖♥$¥使能(néng)信号出現(xiàn)，提升DC-LINK電(diàn)壓到(dφ© ào)600VDC。由于同時(shí)提供啓動、驅動使能(néng)、脈沖使能(néng)信号，上×≈λ₩(shàng)述三步間(jiān)隔時(sλ✔≈™hí)間(jiān)極短(duǎn)，IGBT整流橋在使能(néng)​¶¥條件(jiàn)剛滿足就(jiù)開(kāi)始€≠λ工(gōng)作(zuò)。

當IGBT整流橋和(hé)脈沖分(fēn)配電(diàn)路(lù)由于電(d™∞♣αiàn)壓不(bù)穩定、濕度、粉塵積聚等原因而發生(shēng)大(♣§≈×dà)電(diàn)流擊穿或脈沖順序失調時(shí)≥♠ ，浪湧電(diàn)流通(tōng)過直流母線‌→→沖擊坐(zuò)标軸功率模塊的(de)IGBT直流側，這(zhè)是(shì)電(diàn)源模塊≥"•‌短(duǎn)路(lù)燃燒的(de)根本原因。IGBT整流橋短δα (duǎn)路(lù)時(shí)，輸入電(diàn)抗器(q∏↔φ©ì)應起到(dào)一(yī)定的(de)防止電(dià¶∞n)流過快(kuài)上(shàng)升的(de)作(zuò)用(yòng)，絕緣容量的(de)降♦<低(dī)導緻電(diàn)感急劇(jù)下(xià)降，不(bù)能(néng)有( ​ ✘yǒu)效發揮保護作(zuò)用(yòng)，這(zhè)也(yě)&☆¶&是(shì)功率模塊燃燒的(de)次要(yào)原因。

中國(guó)的(de)正常電(diàn)壓範圍為(wèi)380(1‌←≤15%)V≤380(1≤10%)V。西(x Ω∑♠ī)門(mén)子(zǐ)電(diàn)源模塊的(de)<€>電(diàn)壓要(yào)求為(wèi)380±5&♣V交流電(diàn)，當電(diàn)源超過西(xī)門(mén)子(z₽≈ǐ)要(yào)求時(shí)，電(diàn)源模塊∞π的(de)自(zì)保護功能(néng)(熔斷器(qì))就(jiù)會(huì)π↔≈喪失，保險絲和(hé)相(xiàng)關的(de)三個(gè)電(diàn)氣元件(jiδ<àn)将同時(shí)被擊穿，導緻電(diàn)源模塊的(de)燒毀。

電(diàn)源模塊是(shì)可(kě)直接安裝在印刷電(diàn)路(lù)闆(PCB)上( δ¶shàng)的(de)電(diàn)源。它可(kě♠✘ ∑)以為(wèi)專用(yòng)集成電(diàn)路(lù)(AS♠★ IC)、數(shù)字信号處理(lǐ)器(qì)(DSP)、微(w©γ'≈ēi)處理(lǐ)器(qì)、存儲器(qì)、現(xiàn)場(chǎng)可(kě)編程≥¥ε‍門(mén)陣列(FPGA)和(hé)其他(tā)數(shù)字或模拟負載提供電(diφ∑<àn)源。一(yī)般來(lái)說(shuō)，這(zhè)種模塊被稱為₽δ(wèi)負載點(POL)電(diàn)源系統或使用(yòng)點電(diàn)源系統 ↑​ (PUPS)。由于模塊化(huà)結構的(de)諸多(duō​®)優點，模塊化(huà)電(diàn)源廣泛應用(yòng)于交換設備、接入設備、移動通(‌£$↔tōng)信、微(wēi)波通(tōng)信、光(guā±δ  ng)傳輸、路(lù)由器(qì)等通(tōng)信領域、汽車(chē)電(diàn)子∏•¥(zǐ)、航空(kōng)航天等領域。