模塊電(diàn)源設計(jì)中的(de)模↔₹≠↑塊電(diàn)源容

大(dà)多(duō)數(shù)模塊電(diàn)源容的(dα☆'e)概念仍然停留在理(lǐ)想的(de)模塊電(diàn)源$¥容量階段，與往常一(yī)樣，模塊的(de)供電(diàn)&↔₹ε容量是(shì)C。但(dàn)是(shì)，我不(bù)知(zhī)道(dào)模塊電(diànαφ∑∏)源容值中還(hái)存在很(hěn)多(duō)緊的(de)參數(shù)，我也(y ↑© ě)不(bù)知(zhī)道(dào)1UF陶瓷模塊電(diàn)源容值和(hé)1UF鋁 ¶₽模塊電(diàn)源容值有(yǒu)什(shén)麽區(qū)别。實際®ε✘✔模塊的(de)供電(diàn)容量可(kě)等效于以下(xià)模塊供電(di≈ ↑àn)電(diàn)路(lù)的(de)情況：

C：模塊電(diàn)源容值。同樣指1kW，1V的(de)等×∞✘₩效交流模塊電(diàn)源電(diàn)壓，直流偏置電(diàn)壓為(w<•↑←èi)0V，但(dàn)也(yě)可(kě)以有(yǒu)許多(duō)模塊的(de‍♦™)功率容量測量環境是(shì)不(bù)同的(de)。§ ≥≠但(dàn)有(yǒu)一(yī)件(jiàn)事(shì)需要(yào)小(xiǎ&'o)心，模塊的(de)功率容量C本身(s×'hēn)會(huì)随著(zhe)環境的(de)變化(huà₹✔)而變化(huà)。

ESL：模塊電(diàn)源容值相(xiàng)當于串聯模塊的(de)功率感覺♥♥← 。模塊電(diàn)源容量的(de)引腳中有(yǒu)一(yī​≤&)種模塊供電(diàn)的(de)感覺。在低(dī)頻(pín)↓​​應用(yòng)中，電(diàn)感小(xiǎo)，不(™π₹bù)能(néng)考慮。當頻(pín)率較高(gāo)時(shí)，需要(yà✘$o)考慮該模塊的(de)功率感。例如(rú)，一(yī)個(gè)0805∏®‍×打包的(de)0.1UF貼片模塊電(diàn)源容量，每個(g≈¥×è)引腳模塊功率傳感器(qì)1.2NH，則ESL為(w≥♥§™èi)2.4NH，我們可(kě)以計(jì)算(suàn)出C和(h♦↔₩₽é)ESL的(de)諧振頻(pín)率約為(wèi"↓​')10MHz，當頻(pín)率大(dà)于10 MHz時(sh₩'↓&í)，模塊電(diàn)源容值以模塊功率傳感器(qì)為(wè ♦'→i)特征。

ESR：模塊功率容量等效串聯模塊功率電(diàσ♥n)阻。無論哪種模塊電(diàn)源容值具有(yǒu)等效的§↓  (de)串聯模塊電(diàn)源電(diàn)阻，當模塊電(diàn)源↓ ±₽容值在諧振頻(pín)率下(xià)工(gōng)作(zλ™uò)時(shí)，模塊電(diàn)源容量的(de)容量和(hé)電(₩"diàn)感是(shì)成正比的(de)，因此它相≤←(xiàng)當于模塊的(de)電(diàn)源電(diàn≈↕£✔)阻，該模塊的(de)功率電(diàn)阻是(shì)E£φSR。由于模塊的(de)供電(diàn)容量結構不(bù)同，存在著(zhe)很(®₽§γhěn)大(dà)的(de)差異。鋁模塊功率釋放(fàng)模塊ESR的(de)電(dià&σn)源容量為(wèi)數(shù)百~幾歐元，陶瓷模塊的(de)供電(diàn)容量為(wèi♣ε‍)幾十毫克。钽模塊的(de)供電(diàn)容量介于鋁模塊電(dià&★n)源容值和(hé)陶瓷模塊的(de)供電(diàn)能(néng)力之間(jiān>±∞$)。