模塊電(diàn)源容可(kě)以等效成怎麽樣的(de)模塊電( >₹diàn)源路(lù)情勢

在模塊電(diàn)源的(de)設計(jì)過程中，它往往是(shì)最被忽視(shì≥​εφ)的(de)環節。實際上(shàng)，作(zuò)為(wèi)&¥φ一(yī)種良好(hǎo)的(de)設計(jì)，模塊電(diàn)♥∑±≥源的(de)設計(jì)應該非常緊湊，這(zhè)對(duì★<€)整個(gè)系統的(de)性能(néng)和(hé)成本都(dōu)有(yǒu)​λ很(hěn)大(dà)的(de)影(yǐng)響。

這(zhè)裡(lǐ)，隻介紹了(le)模塊供電(÷$¥♠diàn)電(diàn)路(lù)闆模塊電(diàn)源設計(jì)模塊的(d♦✘e)電(diàn)源容量的(de)使用(yòng)↑<情況。在模塊電(diàn)源的(de)設計(jì)中，這(zhè)往往是(αδshì)最容易被忽略的(de)地(dì)方。許多(duō)人(×♠rén)搞ARM，搞DSP，搞FPGA，乍一(yī)看(kàn)好(hǎo)像搞的(d<♦✘e)很(hěn)高(gāo)深，但(dàn)未必有(yǒu)能(nén§≤♦g)力為(wèi)本身(shēn)的(de)體(tǐ)系提供一(yī)套廉價可(kě)靠的(de) ÷≥模塊電(diàn)源方案。這(zhè)也(∞‌♣yě)是(shì)我國(guó)模塊供電(diàn)子(zǐ)産品功能(n£€♣éng)強、性能(néng)差的(de)一(yī)個(gè)重要(yào)原因，其根源在于研™<​發氛圍，大(dà)多(duō)數(shù)研發工(gōng)程師(shī)幹涸而不(bù)♣​ 堅實；公司隻為(wèi)追求短(duǎn)期效益而隻追求功能(néng)強大(dà)，隻管今天殺雞¥>飽餐一(yī)頓，不(bù)管明(míng)天Ω£•還(hái)有(yǒu)沒有(yǒu)蛋吃π™(chī)，“路(lù)有(yǒu)餓死骨”也(yě)​φφ不(bù)值得(de)可(kě)惜。

大(dà)多(duō)數(shù)模塊供電(diàn)容量的§↕(de)概念仍然停留在理(lǐ)想的(de©€)模塊電(diàn)源容量階段，與往常一(yī™$)樣，模塊的(de)供電(diàn)容量是(shì)C。但(dàn)​∑δ¶是(shì)，我不(bù)知(zhī)道(dào)模塊的(de)電(d₹γiàn)源容量中還(hái)存在很(hěn)多(d‍εuō)緊的(de)參數(shù)，我也(yě÷£)不(bù)知(zhī)道(dào)1 σ÷UF陶瓷模塊的(de)電(diàn)源容量和(hé)1 UF鋁模塊的(de)電(diàn)源容σ←‌&量有(yǒu)什(shén)麽區(qū)γ®别。實際模塊的(de)供電(diàn)容量αφΩ©可(kě)等效于以下(xià)模塊供電(diàn)電(diàn)路(lù)的(de)情況：

C：模塊的(de)功率容量值。同樣指1kW，1↓®V的(de)等效交流模塊電(diàn)源電(diàn)壓，直流偏置電(dià♣₽n)壓為(wèi)0V，但(dàn)也(yě)可(kě)δΩδ​以有(yǒu)許多(duō)模塊的(de)功率<>$容量測量環境是(shì)不(bù)同的(de)。但(dàn)有(yǒu)一(yī)件Ω≈(jiàn)事(shì)需要(yào)小(xiǎ♦'o)心，模塊的(de)功率容量C本身(shēn)" ≠會(huì)随著(zhe)環境的(de)變化(huà)而變化(✘α•huà)。

ESL：模塊的(de)電(diàn)源容量相(xiàng✔•<")當于串聯模塊的(de)功率感覺。模塊電(diàn)源容♦φ♠量的(de)引腳中有(yǒu)一(yī)種模塊供電(dλ≥¥δiàn)的(de)感覺。在低(dī)頻(pín)應用(≈♦→♣yòng)中，電(diàn)感小(xiǎo)，不(bù)能(néng)考慮。當頻(pín β‍≠)率較高(gāo)時(shí)，需要(yào)考慮該模塊₽$↕的(de)功率感。例如(rú)，一(yī)個(gè)0805打包的(de)0。1 U✔♥σF貼片模塊電(diàn)源容量，每個(gè)引腳模塊功率傳感器(qγ♦  ì)1。2 NH，則ESL為(wèi)2。4NH，我們可±♠<(kě)以計(jì)算(suàn)出C和(hé)ESL的(de)諧振頻(pín)✔↔¥率約為(wèi)10 MHz，當頻(pín)率大(dà)于10 MHz時(shí"‍σ€)，模塊的(de)電(diàn)源容量以模塊功率傳感器(qì)為(wèi)特征。

ESR：模塊功率容量等效串聯模塊功率電(diàn)阻。無論哪種模塊的(de)電(diàn)源容≠≤☆♦量具有(yǒu)等效的(de)串聯模塊電(÷εdiàn)源電(diàn)阻，當模塊的(de)電(diàn)源容量→​→在諧振頻(pín)率下(xià)工(gōng)作(zuò)時(shí)，模塊電(d←π‌iàn)源容量的(de)容量和(hé)電(diàn)感是(s←β≥hì)成正比的(de)，因此它相(xiàng)當于模塊的(de)電(diàn)'×源電(diàn)阻，該模塊的(de)功率電(diàn)阻是(shì)ESR。由于模塊的(♦®★σde)供電(diàn)容量結構不(bù)同，存在著(zh↕£₩₩e)很(hěn)大(dà)的(de)差異。鋁模塊功率釋放(fàng)模塊ESR的(de☆ ≈)電(diàn)源容量為(wèi)數(sh> ù)百~幾歐元，陶瓷模塊的(de)供電(diàn)容量為(wèi)幾&>↑×十毫克。钽模塊的(de)供電(diàn)容量介♦‍↔♣于鋁模塊的(de)電(diàn)源容量和(hé)陶瓷模塊的(de)供電(diàn'×​)能(néng)力之間(jiān)。