超小(xiǎo)體(tǐ)積電(diàn)源的(de)&πβ★趨勢-模塊電(diàn)源

一(yī)、DC-DC芯片增加同步整流，減小(xiǎo)電(diàn)源體(tǐ>→)積及重量：

 

同步整流是(shì)采用(yòng)通(tōng)态電(diàn)阻極÷β低(dī)的(de)功率MOSFET，來(lái)取代整流二極管以降低(dī)整流損>∞‍耗的(de)一(yī)項新技(jì)術(sh∏≤βΩù)。MOS管的(de)開(kāi)通(tōng)損耗πΩ會(huì)大(dà)大(dà)降低(dī♥©¥σ)，同樣功率的(de)電(diàn)源MOSFET一(yī)般采用(yòng)★♣♥γPCB散熱(rè)即可(kě)，而用(yòng)二極管整流需要(yào)采用(yòng¶‍∞α)散熱(rè)片。

下(xià)面介紹一(yī)個(gè)比較簡單的(de)Buck電(diàn)路(lù)采用(yòng)同步整流芯片技(jì•↑✘©)術(shù)的(de)DC-DC芯片MP4420。

 

MP4420這(zhè)個(gè)芯片內(nèi)部集成了(le)圖3中的(de)Q1、Q2兩顆M♠γσOSFET，而且采用(yòng)SOT23-8封裝。隻需∑$£₹要(yào)在芯片外(wài)圍加上(shàng)一(yī)個(gè)電(di←§∏$àn)感及電(diàn)容即可(kě)實現(xiàn)DC-π¥DC轉換功能(néng)，從(cóng)而達到(dào)節省産品體≥≈(tǐ)積的(de)目的(de)。

 

 

 

二、AC-DC電(diàn)源采用(yòng)原邊反饋 ↔，節省部分(fēn)器(qì)件(jiàn)：

 

原邊反饋（PSR）的(de)AC-DC控制(zhì)技(jì)≤&←♥術(shù)是(shì)最近(jìn)10年(ni¶βán)間(jiān)發展起來(lái)的(de)新型AC-DC控制(zhì)技(jì)術(s∏€∞hù)，與傳統的(de)副邊反饋的(de)↓≥‌₩光(guāng)耦加TL431的(de)結構相(xià✔≠εng)比，其最大(dà)的(de)優勢在于省去(qù)了(le)這(zhè)兩個(gè)芯片以及與§±之配合工(gōng)作(zuò)的(deΩ∑')一(yī)組元器(qì)件(jiàn)，這(zhè)樣就(jiλδ≠ù)節省了(le)系統闆上(shàng)的(de¥↕)空(kōng)間(jiān)，在保證可(kě)靠性的(de)基礎上( &↓shàng)還(hái)降低(dī)了(le)電(<₽♦diàn)路(lù)成本。

 

MPS目前有(yǒu)5~15W的(de)一(yī)系列的(de)原邊≤σ♦反饋控制(zhì)芯片方案，MP020是βα(shì)集成700V MOSFET的(de)恒壓恒< ™≤流(CV/CC) 開(kāi)關芯片，能>¶ ✘(néng)輕松實現(xiàn)高(gāo)精度的(de)穩壓和(hé)恒流輸出。σ∑♣

 

三、小(xiǎo)型化(huà)電(diàn)源模塊應用(yòng)，縮小(xiǎo)産品體(t♦ ǐ)積：

電(diàn)源模塊可(kě)以直接貼裝在印制(zhì)電(diàn)路(lù)闆上(shàng★★)，同時(shí)由于采用(yòng)灌膠模塊設計(j≈§>→ì)，模塊産品在體(tǐ)積、散熱(rè)、可(kě)靠性方面都(dōu)很(hěn)有(yǒu)✘•優勢。AC-DC電(diàn)源往往需要(yào)滿足一(yī)些(xiē)₹™£σ安全距離(lí)，導緻AC-DC部分(fēn)電(diàn)路(λ‍lù)面積較大(dà)，AC-DC電(diàn)源模塊由于采用(yòng)灌膠封<≠裝，可(kě)以大(dà)大(dà)減小(xiǎo)各β♦★'元器(qì)件(jiàn)及布線之間(jiān)←δ的(de)距離(lí)，可(kě)以大(dà)大(dà)提高(gāo)電(diàn)源的(de)<¶‍功率密度。

 

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