對(duì)于低(dī)功耗電(diàn)源模塊的(d→↑γe)待機(jī)會(huì)有(yǒu)那(nà)些(xiē)損耗呢(ne∑≠♣δ)？

電(diàn)源是(shì)保障體(tǐ)系平穩運作(zuò)的(de)重要(yào)其一(yī>∞)，可(kě)是(shì)在許多(duō)運用(yòng)場(chǎng)×☆✘γ所中，對(duì)電(diàn)子(zǐ)産品的(de)功率規定十分(fēn)嚴苛。因而，在><★≠保障體(tǐ)系能(néng)平穩運作(zuò)後，對(du₹€ì)電(diàn)源又(yòu)明(míng)确提出了(le)功耗的(de)規定。

 

電(diàn)源在關機(jī)的(de)那(n←♣λ©à)時(shí)候，輸出無負荷為(wèi)何又(yòu)有(yǒu)關機(≥☆ ∞jī)耗損嗎(ma)?下(xià)邊探討(tǎo)下(xià)電(diàn)∞ §源模塊的(de)功率難題。電(diàn)源模塊耗損關鍵有€≥✔ε(yǒu)以下(xià)幾個(gè)地(dì)方：

1、開(kāi)啓電(diàn)源電(diàn)路(lù)

普遍起動電(diàn)源電(diàn)路(lù)全是(shì)R+C起動，在其中電♦∏↕₽(diàn)阻器(qì)會(huì)有(yǒu)必須耗損。一(yī)般在适×✔‍♠配商品起動和(hé)短(duǎn)路(lù)故障工(gōng)作(zuò)能(¥£néng)力的(de)另外(wài)，R取值越大(dà)耗損越小(xiǎo)。或者商品起動後不(♠≥bù)許R工(gōng)作(zuò)中，耗損也(yě)會(huì)縮≈♠™小(xiǎo)。

2、變電(diàn)器(qì)

變電(diàn)器(qì)的(de)耗損包含鐵(tiě)損和(hé♠​♥)銅損，變電(diàn)器(qì)的(de)鐵(tiě)損受輸出功率和(hé"₽∏)感值的(de)危害，頻(pín)率低(dī)損耗小(xiǎ≤↑ε§o)，感值高(gāo)耗損小(xiǎo)。

因此設計(jì)方案變電(diàn)器(qì)的(de≤ )那(nà)時(shí)候，要(yào)兼具輸出功率和(hé)感數(s∏↓φ×hù)值，在一(yī)個(gè)比較合适的(•>de)值，耗損就(jiù)會(huì)小(xiǎo)。關機(jī)€§ ≤時(shí)變電(diàn)器(qì)銅損是(shì)不(bù)大(dà)的€ (de)，在設計(jì)方案變電(diàε←£±n)器(qì)的(de)那(nà)時(shí)候，挑選适度的(de)線徑及線圈匝數(shù)‍♣↕Ω就(jiù)能(néng)。

3、電(diàn)源IC

IC都(dōu)是(shì)有(yǒu)個(gè)工(gōng)作(zuò)中電(diàn)流£←§，以便使IC可(kě)以一(yī)切正常工(gōδ ng)作(zuò)中，這(zhè)一(yī)耗損是(shì)沒法防止的(" ≈∏de)，能(néng)夠在電(diàn)機(jī)選型時(shí)盡可(kě♣♣‍ )能(néng)挑選工(gōng)作(zuò)中電(diàn)流小(xiǎ♦‌o)的(de)。

4、電(diàn)源開(kāi)關管

鍵入web端MOS管在關機(jī)的(de)那(nà)時(sh £í)候，關鍵反映的(de)是(shì)開(kāi)關損耗，因此必須減少(sh× ∑ǎo)關機(jī)時(shí)MOS管的(de)¶•耗損，關機(jī)的(de)輸出功率還(hái)要(yào)減少(shǎo)。

集成ic電(diàn)機(jī)選型時(shí)，挑選 ↕$ 集成ic工(gōng)作(zuò)中在輕載和(hé)滿載狀況下↑>(xià)能(néng)跳(tiào)頻(pín)。MOS管要(yào)采用(yò™↔¥±ng)低(dī)栅荷的(de)，進而減少(shǎo)耗損。整流δ∏管電(diàn)機(jī)選型時(shí)，挑選低(dī)通(tōng)斷壓力降和(hé)反向恢&•‌↕複速度快(kuài)的(de)二級管，能(néng)夠減少(shǎo)耗損。